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石头哥 2025年01月19日 13:28  回复(1)

  研究

1、市场供求            （市场需求/供给格局）

芯片投资黄金坑？解密七大半导体材料和17家中国龙头企业【附下载】| 智东西内参 https://www.zhidx.com/p/200548.html

中国已经有一批光刻胶企业陆续实现了技术突破。

石头哥 2021年06月19日 00:11  回复(1)
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根据华经产业研究院统计，2021 年全球光刻胶市场份额中，日本厂商东京应化、合成橡胶（JSR）、住友化学及富士胶片的市场占有率合计达到 60%，美国陶氏化学市占率 17%，韩国东进 11%。在 ArF 光刻胶领域，合成橡胶（JSR）以 24%的市场份额位居全球第一，国内 ArF 光刻胶几乎全部依赖进口，日本及美国公司占据了绝对主导地位。
石头哥 2023年04月15日 13:59 回复(0)

氧化镓（Gallium Oxide，Ga2O3）和金刚石（diamond）BIS公告称，氧化镓和金刚石是可以在更恶劣条件下工作的半导体材料，能承受更高的电压或更高的温度，采用这些材料生产出来的设备具备更高的军事潜力。按照材料性质划分，半导体衬底目前大致可划分为四代：第一代以硅（Si）、锗（Ge），为代表，主要应用于低压、低频、低功率的部分功率器件、集成电路；第二代以砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等为代表，被广泛应用于光电子和微电子领域；第三代以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等宽禁带半导体为代表，在介电常数、导热率及工作温度等方面具有显著优势，目前已逐步应用在5G通信、新能源汽车、光伏等领域；氧化镓、金刚石等被视为第四代半导体材料。北京科技大学教授李成明曾介绍，氧化镓是一种新型超宽禁带半导体材料，与碳化硅、氮化镓相比，氧化镓的禁带宽度达到了4.9eV，高于碳化硅的3.25eV和氮化镓的3.4eV，确保了其抗辐照和抗高温能力，可以在高低温、强辐射等极端环境下保持稳定的性质；而其高击穿场强的特性则确保了制备的氧化镓器件可以在超高电压下使用，有利于提高载流子收集效率。
石头哥 2022年10月26日 11:42 回复(0)

沪硅产业、立昂微角力轻掺硅片硅片行业呈现寡头垄断局面，海外厂商占据主要份额，2021年全球前六大厂商信越、胜高、环球晶圆、SK、Siltronic市场占比超九成。即便是这样极致的、稳定的格局之下，仍有人想要搅动池水，更进一步。 2020年12月10日，全球排名第三的硅片厂环球晶圆（中国台湾）宣布同意以37．5亿欧元收购排名第六的Siltronic（德国），如果收购顺利实施，环球晶圆将一跃成为全球第二大硅片制造商，仅次于日本信越。
石头哥 2022年09月28日 22:07 回复(0)

一文了解碳化硅和氮化镓GaN市场：射频是主战场，5G是重要机遇 GaN是射频器件的合适材料。目前射频市场主要有三种工艺： GaAs工艺，基于Si的LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）工艺，以及GaN工艺。GaAs器件的缺点是器件功率较低，低于50W。LDMOS器件的缺点是工作频率存在极限，最高有效频率在3GHz以下。GaN弥补了GaAs和Si基LDMOS两种老式技术之间的缺陷，在体现GaAs高频性能的同时，结合了Si基LDMOS的功率处理能力。在射频PA市场，LDMOS PA带宽会随着频率的增加而大幅减少，仅在不超过约3.5GHz的频率范围内有效，采用0.25微米工艺的GaN器件频率可以高达其4倍，带宽可增加20%，功率密度可达6~8 W/mm（LDMOS为1~2W/mm），且无故障工作时间可达100万小时，更耐用，综合性能优势明显。
石头哥 2021年12月18日 17:18 回复(0)

GaN材料与Si/SiC相比有独特优势。GaN与SiC同属于第三代宽禁带半导体材料，相较于已经发展十多年的SiC，GaN功率器件是后进者，它拥有类似SiC性能优势的宽禁带材料，但拥有更大的成本控制潜力。与传统Si材料相比，基于GaN材料制备的功率器件拥有更高的功率密度输出，以及更高的能量转换效率，并可以使系统小型化、轻量化，有效降低电力电子装置的体积和重量，从而极大降低系统制作及生产成本。 GaN与SiC、Si材料各有其优势领域，但是也有重叠的地方。GaN材料电子饱和漂移速率最高，适合高频率应用场景，但是在高压高功率场景不如SiC；随着成本的下降，GaN有望在中低功率领域替代二极管、IGBT、MOSFET等硅基功率器件。以电压来分，0~300V是Si材料占据优势，600V以上是SiC占据优势，300V~600V之间则是GaN材料的优势领域。根据Yole估计，在0~900V的低压市场，GaN都有较大的应用潜力，这一块占据整个功率市场约68%的比重，按照整体市场154亿美元来看，GaN潜在市场超过100亿美元。
石头哥 2021年12月18日 16:59 回复(0)

SiC：极限功率器件的理想的材料 SiC是由硅和碳组成的化合物半导体材料，在热、化学、机械方面都非常稳定。C原子和Si原子不同的结合方式使SiC拥有多种晶格结构，如4H、6H、3C等等。4H-SiC因为其较高的载流子迁移率，能够提供较高的电流密度，常被用来做功率器件。 SiC从上个世纪70年代开始研发，2001年SiC SBD商用，2010年SiC MOSFET商用，SiC IGBT还在研发当中。随着6英寸SiC单晶衬底和外延晶片的缺陷降低和质量提高，使得SiC器件制备能够在目前现有6英寸Si基功率器件生长线上进行，这将进一步降低SiC材料和器件成本，推进SiC器件和模块的普及。 SiC器件相对于Si器件的优势主要来自三个方面：降低电能转换过程中的能量损耗、更容易实现小型化、更耐高温高压。
石头哥 2021年12月18日 16:38 回复(0)

第三代半导体材料性能优势明显第三代半导体材料包括了以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的宽禁带化合物半导体。第一二代半导体材料工艺已经逐渐接近物理极限，在微电子领域的摩尔定律开始逐步失效，而第三代半导体是可以超越摩尔定律的。相比于第一代及第二代半导体材料，第三代半导体材料在高温、高耐压以及承受大电流等多个方面具备明显的优势，因而更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件。在器件的性能对比上，GaN材料以及SiC材料在通态电阻以及击穿电压方面都具备较大的优势。第三代半导体材料应用可以分为微电子以及光电子领域，具体可以细分为电力电子器件、微波射频、可见光通信、太阳能、半导体照明、紫外光存储、激光显示以及紫外探测器等领域，有望突破传统半导体技术的瓶颈，与第一代、第二代半导体技术互补，对节能减排、产业转型升级、催生新的经济增长点将发挥重要作用。
石头哥 2021年12月18日 16:27 回复(0)

第二代半导体材料是以砷化镓（GaAs）、锑化铟（InSb）为主的化合物半导体，其主要被用于制作高频、高速以及大功率电子器件，在卫星通讯、移动通讯以及光通讯等领域有较为广泛的应用。砷化镓和磷化铟半导体激光器成为光通信系统中的关键器件，同时砷化镓高速器件也开拓了光纤及移动通信的新产业。
石头哥 2021年12月18日 16:26 回复(0)

SiC具有3电子伏特（eV）的宽禁带，可以承受比硅大8倍的电压梯度而不会发生雪崩击穿。禁带越宽，在高温下的漏电流就越小，效率也越高。而导热系数越大，电流密度就越高。
石头哥 2021年12月18日 16:08 回复(0)

除杂就是剔除物质中你不需要的部分，这一过程就会使得物质的熵降低，就是让其变得更“有序”一点儿。这就需要付出“代价”，需要向这个系统提供能量。所有的除杂即提纯过程是需要消耗能量的！更搞人心态的是，如果你需要的纯度越高，提纯的技术难度会越大，并且消耗的能量是指数级增长。化学家很早就总结了一套提纯的法宝，过滤、萃取、蒸发浓缩、蒸馏、电解、结晶、反渗透、离子交换、色谱法......这些法宝就好像化学家的“蟹八件”，凭借着这些工具化学家们能把他们瓶子里的东西搞的干干净净的。化学中杂质为什么不能被除尽？
石头哥 2021年12月18日 12:57 回复(0)
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