易失性存储芯片常见的有 DRAM 和 SRAM。非易失性存储芯片常见的是 NAND 闪存芯片和 NOR 闪存芯片。

国际方面：

当前在 DRAM 存储芯片领域，三星、海力士、美光这三大巨头共计分食了全球 90％以上的市场份额，其中美光占据份额达 23％。在NAND方向，西数和东芝存储（铠侠）占据1/3市场，镁光也是重要参与者。

国产方面：

DRAM主要是合肥长鑫和福建晋华在主攻；NAND Flash方向为长江存储主攻；NOR Flash方向龙头有兆易创新和武汉新芯（长江存储下属）。

长江存储就是原本的武汉新芯，紫光集团入股后更名为长江存储。自成立以来，长江存储除了获得来自于紫光的资金之外，还获得了集成电路产业基金超过 100 亿元人民币的投资。根据规划，长江存储的目标是到 2023 年满足中国 50%的 NAND 需求。除了 32 层 3D NAND 于 2018 年底前投入量产之外，长江存储 Xtacking 架构的 64 层 NAND 样品已经送至合作伙伴进行测试，64 层 128G 的 NAND Flash 有望在 2019 年量产。此外，长江存储正在研发 128 层 256G 的 NAND Flash。

合肥长鑫的主攻方向就是和本次美光和联电发生纠纷的 DRAM，合肥长鑫的的规划是 2018 年年底推出 8Gb DDR4 工程样品，2019 年三季度推出 8Gb LPDDR4，到 2019 年年底，产能将达到 2 万片一个月。从 2020 年开始，公司则开始规划二厂，2021 年则完成 17nm 的研发。

福建晋华主攻 DRAM 内存产品，用于手机、电脑、服务器等。由福建省电子信息集团、晋江能源投资集团有限公司等共同出资设立的先进集成电路生产企业。公司与台湾联华电子开展技术合作，投资 56.5 亿美元，在福建省晋江市建设 12 吋内存晶圆厂生产线，开发先进存储器技术和制程工艺，并开展相关产品的制造和销售。